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  • 27
    2025-11

    海思、瑞芯微、全志、君正、晶晨等主流国产 SoC 芯片封装大全

    海思、瑞芯微、全志、君正、晶晨等主流国产 SoC 芯片封装大全

    主流国产芯片型号与封装对应表 说明:1. 封装信息综合品牌官方 datasheet、行业公开资料及主流供应商数据整理;2. 部分芯片存在多封装选项,表中为最常用/典型封装,具体以实际采购规格书为准;3. 标注“*”的型号封装为基于同系列芯片规律推导的典型值,建议查阅官方文档确认。 一、HISILICON(海思) 芯片型号 封装类型 备注 21AP10 BGA-256 安防监控专用,典型封装 22AP10 BGA-256 与21AP10封装兼容 22AP20 BGA-324 增强型安防芯片封装

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    2025-11

    安卓、鸿蒙、Linux、ARM等系统主板的硬件工程师福音来了,国产主控芯片大全

    安卓、鸿蒙、Linux、ARM等系统主板的硬件工程师福音来了,国产主控芯片大全

    主流国产芯片型号与封装详解 说明:1. 封装信息综合品牌官方 datasheet、行业公开资料及主流供应商数据整理;2. 部分芯片存在多封装选项,文中提及的为最常用/典型封装,具体以实际采购规格书为准;3. 标注“*”的型号封装为基于同系列芯片规律推导的典型值,建议查阅官方文档确认。 一、HISILICON(海思) 海思芯片在安防监控、成像处理、物联网通信等领域应用广泛,其封装类型与功能定位高度匹配。21AP10是安防监控专用芯片,采用BGA-256典型封装;同系列的22AP10封装与21AP

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    2025-11

    意法半导体推出最快 STM32 芯片 STM32V8 高性能 MCU 首发 18nm 工艺

    意法半导体推出最快 STM32 芯片 STM32V8 高性能 MCU 首发 18nm 工艺

    对于嵌入式开发工程师、工业电子厂商来说,意法半导体(STMicroelectronics)的STM32系列MCU几乎是绕不开的“标杆级”产品。如今这个经典系列再添“猛将”——11月18日,意法正式发布旗下性能最强的32位微控制器STM32V8,更关键的是,它成为了业界首款采用18nm工艺的高性能MCU,直接把32位MCU的性能上限拉高了一个档次。 熟悉MCU领域的人都知道,工艺节点是决定芯片性能和功耗的核心。在此之前,主流高性能MCU多采用28nm或40nm工艺,18nm工艺更多出现在高端处理

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    2025-11

    国产SoC芯片厂家大全:覆盖多场景,中国芯片替代加速

    国产SoC芯片厂家大全:覆盖多场景,中国芯片替代加速

    国产 SoC 芯片厂家大全(排名不分先后):覆盖多场景,国产替代加速 在国产芯片崛起的浪潮中,SoC(系统级芯片)作为集成核心算力与功能的关键器件,已广泛应用于消费电子、智能汽车、物联网、安防等多个领域。以下整理了市面上主流的国产 SoC 厂家,涵盖大陆及台湾地区企业,排名不分先后,同时严格排除 MCU、独立 CPU、GPU 厂家及进口品牌,方便行业伙伴选型参考,也欢迎大家补充遗漏品牌。 一、大陆地区 SoC 厂家 全志:主打多核异构 SoC,集成 CPU、GPU、NPU 等核心,兼顾高性能与

  • 14
    2025-11

    全球现场可编程门阵列(FPGA)芯片市场正在快速上升通道

    全球现场可编程门阵列(FPGA)芯片市场正在快速上升通道

    11月14日消息,据市场研究机构MarketsandMarkets的最新报告显示,全球现场可编程门阵列(简称FPGA)市场正处在快速上升通道,发展势头十分亮眼。数据预测,这个市场的规模将从2025年的117.3亿美元,一路增长到2030年的193.4亿美元,在这五年里,每年平均增长率能达到10.5%。 FPGA 之所以能迎来爆发式增长,核心原因在于各个行业的需求在不断扩大。MarketsandMarkets指出,像数据中心、电信行业和汽车制造这些领域,对能灵活定制、计算能力强的芯片需求越来越大

  • 11
    2025-11

    欧洲半导体市场回暖,三季度达141亿美元

    欧洲半导体市场回暖,三季度达141亿美元

    欧洲半导体行业协会(ESIA)数据显示,2025 年第三季度欧洲半导体市场持续扩张, 销售额达 140.7 亿美元 (约 141 亿美元),环比增长 7.2%,同比增长 6%。 增长核心动力来自两大芯片品类: 存储芯片季度环比暴涨 17.3% ,成为领涨主力;模拟半导体紧随其后,环比增长 7.1%。这两类芯片广泛应用于汽车电子与工业系统,而这正是欧洲企业的优势领域,直接带动相关供应链增长。 全球市场同步向好,2025 年第三季度全球半导体销售额达 2084 亿美元 ,同比大增 25.1%,所有

  • 05
    2025-11

    兆易创新(GigaDevice)推出基于Arm Cortex-M33内核的GD32F503/505系

    兆易创新(GigaDevice)推出基于Arm Cortex-M33内核的GD32F503/505系

    11 月 4 日,国内芯片设计龙头企业兆易创新(GigaDevice)正式官宣推出基于 Arm Cortex-M33 内核的 GD32F503/505 系列 32 位通用微控制器(MCU)。作为兆易创新 GD32 MCU 家族的全新力作,该系列不仅填补了国产中高端通用 MCU 在高主频、灵活存储配置领域的空白,更以 “高集成度 + 强安全性” 的核心优势,为数字电源、工业自动化、人形机器人等新兴领域提供国产化芯片解决方案。目前,该系列 MCU 已开放样品申请及开发板试用通道,预计 2024 年

  • 04
    2025-11

    DDR5 内存芯片2026利润将超越 HBM3e!

    DDR5 内存芯片2026利润将超越 HBM3e!

    在 AI 大模型训练与推理需求爆发、全球云服务商(CSP)加速数据中心基建的背景下,服务器内存(Server DRAM)作为核心算力支撑组件,市场供需格局正发生显著变化。市场研究机构 TrendForce 于 10 月 29 日发布的最新报告指出,第四季度 Server DRAM 合约价格已进入稳步上升通道,其中 DDR5 内存涨势尤为突出;更关键的是,随着需求结构与产能分配的调整, DDR5 有望在 2026 年实现盈利能力首次超越 HBM3e ,标志着服务器内存市场将迎来新的竞争格局。 一

  • 15
    2025-10

    【亿配芯城现货】TI原装TL331IDBVR电压比较器 极速发货正品保障

    【亿配芯城现货】TI原装TL331IDBVR电压比较器 极速发货正品保障

    在现代电子电路设计中,电压比较器扮演着至关重要的角色,而德州仪器(TI)推出的 TL331IDBVR 正是一款性能卓越的单路电压比较器芯片。它采用SOT-23-5小型封装,非常适合空间受限的便携式和紧凑型应用。 性能参数亮点 TL331IDBVR具备多项优异的性能参数,使其在众多应用场景中表现出色: 低功耗设计:其低电源电流使其非常适合电池供电设备。 宽电源电压范围:单电源供电范围从2V至36V,双电源供电范围为±1V至±18V,提供了极大的设计灵活性。 低输入偏置电流:这有助于减小测量误差,

  • 13
    2025-10

    OPA2188AIDR现货采购上亿配芯城,高精度运放正品保障!

    OPA2188AIDR现货采购上亿配芯城,高精度运放正品保障!

    OPA2188AIDR现货采购上亿配芯城,高精度运放正品保障! 在当今的电子设计领域,高精度运算放大器(运放)是许多关键应用的核心组件。其中,OPA2188AIDR 作为一款备受推崇的高性能运放芯片,凭借其卓越的参数和可靠性,在工业、医疗和测试测量等领域广受欢迎。本文将详细介绍OPA2188AIDR的性能参数、应用领域以及相关技术方案,帮助工程师和采购人员更好地理解和选择这款芯片。 芯片性能参数 OPA2188AIDR是一款双通道运算放大器,具有出色的精度和稳定性。其主要性能参数包括: - 低

  • 11
    2025-10

    LIS2HH12TR现货特供亿配芯城,高性能三轴加速度计助力精准测量!

    LIS2HH12TR现货特供亿配芯城,高性能三轴加速度计助力精准测量!

    --- LIS2HH12TR现货特供亿配芯城,高性能三轴加速度计助力精准测量! 在当今的智能化时代,精准的运动和位置测量是实现设备智能化的关键。STMicroelectronics推出的LIS2HH12TR三轴加速度计,正是一款能够满足高要求测量应用的理想选择。如今,这款高性能芯片在亿配芯城平台现货特供,为您的项目开发与生产提供了强有力的供应链保障。 卓越的芯片性能参数 LIS2HH12TR是一款高性能、低功耗的3轴MEMS加速度计,其核心性能参数十分亮眼: 高分辨率与宽量程:它支持±2g/±

  • 10
    2025-10

    BSP135H6327现货特供亿配芯城 - 正品保障,闪电发货!

    BSP135H6327现货特供亿配芯城 - 正品保障,闪电发货!

    BSP135H6327现货特供亿配芯城 - 正品保障,闪电发货! BSP135H6327是一款高性能N沟道增强型功率MOSFET晶体管,以其卓越的电气特性和可靠性,在各类电子应用中发挥着关键作用。其采用紧凑的SOT-223封装,在有限的板级空间内实现了优异的功率处理能力,非常适合高密度电路设计。 关键性能参数: 漏源电压(VDS)高达600V,确保了在高压环境下的稳定运行。 连续漏极电流(ID)达1.2A,提供充足的电流驱动能力。 超低的导通电阻(RDS(on)),有效减少了导通期间的功率损耗